，根据韩媒 koreaherald 报道，英特尔计划在韩国首尔设立科研实验室，通过扩展和三星、sk 海力士的合作，推进适用于数据中心的 dram 芯片研发工作。

位于首尔的数据中心开发实验室将于今年年底前竣工开业，主要负责为数据中心开发 ddr5 dram 内存技术。

英特尔在 vision 2023 活动中，还表示在美国、中国、印度和墨西哥等地再设立 6 个科研机构，主要负责研究和认证服务器半导体芯片。

英特尔还扩大和三星、sk 海力士的合作，测试和评估 ddr5 和 compute express link 等下一代内存产品的性能。

it之家此前报道，sk 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工艺 1bnm 已完成验证，满足下一代 ddr5 和 hbm3e 的解决需求。

该公司表示，xeon scalable 获得了英特尔认证，以支持基于 10 亿纳米节点构建的 ddr5 产品。三星还开始量产采用 12nm 工艺节点的 16b ddr5 dram。